“我之前预定的碳化硅晶体生长炉排上号了吗？”
韩修正在为冰晶半导体制冷片的投产做准备，此刻正联系着远在奉天的设备供应商。
半导体产业发展至今经历了三个阶段：第一代主要以硅（Si）锗（Ge）元素单质半导体材料为代表。第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）也已经广泛应用。第三代半导体材料则主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。
与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料性能优势显著，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，因此被业界广泛好评。
发展较好的第三代半导体材料主要是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），其中碳化硅（SiC）的技术更为成熟，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
“你是要碳化硅单晶炉系统？型号是TDL60P这款？”
韩修之前联系这个设备供应商已经有些时日了，奈何其供应紧张，时间一长下来，对方竟……
(ò﹏ò)
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