那么，在谭振华前世的1986年，华夏的半导体行业到底发生了什么？
其实真的没有发生什么惊天动地的大事，如果一定要探究一下的话，那么只有这几件事是值得记录的：
1986年5月，电子部4742厂试制成功华夏第一片64KDRAM，集成度为15万个元件，加工工艺为3微米，相比世界第一家制成相同产品的倭国NEC晚了6年；
同年8月，华夏集成电路设计中心在京城成立，这标志着华夏集成电路设计业发展的开端。
在这一年，电子部还召开了“七五”集成电路发展战略研讨会，提出了“七五”期间关于集成电路技术的“531”发展战略，即普及推广5微米技术，重点企业形成3微米技术生产能力，进行1-1.5微米技术科技攻关。
在这一年的10月，南高丽政府开始执行“VLSI共同开发技术计划”，由政府出资，南高丽电子通信研究所牵头，联合三星、LG、现代三大集团以及南高丽六所大学，联合攻关DRAM的核心技术。随后三年内，该计划共投入1.1亿美元，其中政府承担57%的研发经费。
看起来，与……
(ò﹏ò)
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