提出一个想法是容易的，但把这个想法变为现实，却是异常困难的。
电脑上，打开的全是DAPCVD法和MPCVD法的相关文献。
电脑前，陈舟拿着笔，在草稿纸上奋笔疾书。
两种方法的差异性，两种方法的优缺点，两种方法各自的制约条件，两种方法可能存在的相融性……
陈舟全部一一列举了出来。
“除了微波功率和气体压力，衬底的温度不均匀，也会影响金刚石薄膜的沉积速率，而且会使得薄膜的质量变差……”
“过快的沉积速率，同样会影响金刚石薄膜的均匀性，导致膜的质量变差……”
陈舟的脑海中不断闪过影响沉积速率和薄膜质量的因素。
看了一眼草稿纸上自己写的内容，陈舟喃喃道：“矛盾……”
没错。
金刚石薄膜的沉积速率与薄膜的质量是存在矛盾关系的。
快速沉积的金刚石薄膜的沉积面积，是被限制在几毫米之间的。
这就导致了均匀性较差，薄膜的质量不高。
“算了，时候不早了，还是先睡觉吧……”
轻轻放下笔，陈舟关了电脑，起身去洗漱了。
走到一半，他突然想起来……
(ò﹏ò)
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