Young说上兴头了，他有点停不下来，想把他对半导体的理解和国产半导体可替代的发展跟程钢好好聊聊：
“接下来回到我们的主题，14 nm光刻机挑战是什么？”
“先谈FinFET，FinFET是加州大学伯克利分校著名教授，胡正明教授最先提出的3D MOSFET器件结构。”
“3D MOSFET通过立体的结构实现了超越前代平面晶体管的性能。11年 Intel率先将其商业化。但到了14 nm制程后， FinFET变得不再像以往可靠。”
“首先是逃不掉的量子效应，晶体管的电流很难提高了。甚至对于一些材料，电流会变低。对于芯片而言，电流意味着速度。”
“然后是漏电流，漏电流直接牵扯到功耗。在这么小的节点，FinFET也很难控制漏电。”
“最后是成本，按照摩尔定律，随着节点的减少，单个晶体管成本应该减少。”
“但到了14nm制程，繁杂的光刻流程，导致单个晶体管成本反而可能会上升。”
“中芯国际能搞定14nm制程，但是股价却迟迟上不去是为什么？”
“就是因为14nm制程太难了，中芯国际的……
(ò﹏ò)
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